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　　Solitron Devices 推出 的SD11911 和 SD11912 1200V 碳化硅 (SiC) 電源模塊。兩款模塊均具有兩個獨立的大電流MOSFET。

　　Solitron 功率模塊采用獨特、堅固且經(jīng)濟高效的封裝形式，最大限度地發(fā)揮了 SiC 的優(yōu)勢。37mm x 25mm x 9mm 的外形尺寸和重量僅為競爭模塊的一小部分。集成格式可最大限度地提高功率密度，同時通過引腳配置將環(huán)路電感降至最低，從而實現(xiàn)簡單的電源總線。

　　SD11911 和 SD11912 提供兩種獨立的 MOSFET 配置。該SD11911包括兩個 1200V、超低 RDS(開)8.6mΩ SiC MOSFET，而SD11912有兩個 13mΩ MOSFET。引腳配置將電源總線與柵極和源控制分開，以簡化電路板布局。獨立輸出為定制配置提供了最大的靈活性，例如半橋、全橋、H 橋和許多其他拓撲結構。兩款器件均具有 120A 的連續(xù)漏極電流。兩個模塊都集成了一個NTC溫度傳感器。

　　SD11911 和 SD11912 專為要求苛刻的應用而設計，例如基于航空電子設備的機電執(zhí)行器、工業(yè)高效電源轉換器/逆變器和電機驅動器。工作溫度為 -55°C 至 175°C，結構包括銅基板和氮化鋁絕緣體，確保 TCE 匹配和高熱傳遞。隔離式集成溫度檢測可實現(xiàn)高電平溫度保護。與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的開關性能，并且隨溫度的變化最小。由于能量損耗顯著降低，因此實現(xiàn)了比硅更高的效率水平，反向充電導致更多的開關功率和更少的能量在接通和關斷階段所需的能量。結合高開關頻率，這意味著更小的磁性元件，大大減輕了系統(tǒng)的重量和尺寸。

　　特點和優(yōu)點：

　　?優(yōu)異的系統(tǒng)效率，由于低開關和傳導損失的sic

　　?卓越的功率轉換效率在高頻操作

　　?高速開關w /低電容

　　?減少寄生電感和電容

　　?真正的開爾文源連接穩(wěn)定柵極驅動

　　?隔離的背面直接安裝到散熱器

　　?鋁基板和銅基板的導熱性

　　?高結溫操作

　　?低結殼熱阻

　　?降低熱需求和系統(tǒng)成本

　　?集成NTC溫度傳感器

　　?堅固的安裝由于集成安裝襯套

　　?低調緊湊的包裝

　　關于Solitron Devices

　　Solitron Devices 總部位于美國佛羅里達州西棕櫚灘，為需要極致性能和可靠性的系統(tǒng)制造功率半導體和集成電源解決方案。航空航天、國防、工業(yè)和航天領域的客戶依靠Solitron的創(chuàng)新產(chǎn)品來開發(fā)更小、更輕的重量;更高效率的系統(tǒng)級電源解決方案。

　　Solitron通過了 MIL-PRF-19500 和 MIL-PRF-38534 認證，提供各種標準 QPL 雙極晶體管和 JFET。Solitron 的高功率多芯片模塊將最新的硅、碳化硅和氮化鎵與先進的封裝材料相結合，以實現(xiàn)尖端的功率密度和性能。能力包括標準和定制解決方案，提供行業(yè)領先的質量、服務和支持。 

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