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英飛凌IPW90R120C3 N溝道功率MOSFET

發(fā)布時間:2024-03-29 09:33:05     瀏覽:705

  Infineon英飛凌IPW90R120C3是一款N溝道功率MOSFET,屬于CoolMOS? P7系列,是CoolMOS? C3的升級替代產(chǎn)品。

  CoolMOS? C3是英飛凌于2001年推出的第三代CoolMOS?系列產(chǎn)品,是其產(chǎn)品組合的主打產(chǎn)品之一。

英飛凌IPW90R120C3 N溝道功率MOSFET

  特點:

  - 具有低導通電阻(RDS(on)* A)

  - 在400V時具有低能量儲存輸出電容(Eoss)

  - 低柵極電荷(Qg)

  - 經(jīng)過實踐驗證的CoolMOS?技術質(zhì)量

  優(yōu)勢:

  - 高效率、高功率密度

  - 超高成本/性能比

  - 高可靠性

  - 使用便捷

  潛在應用:

  - 消費類產(chǎn)品

  - 計算機電源適配器

  - 照明應用中的CoolMOS?功率晶體管

  特性:

  - 最低質(zhì)量指標RON x Qg

  - 極限dv/dt額定

  - 高峰值電流能力

  - 符合JEDEC標準目標應用要求

  - 無鉛鍍鉛;通過無鉛認證

  - 所有全球研發(fā)中心中最優(yōu)秀的TO247

  - 超低柵極電荷

  CoolMOS? 900V專為以下應用而設計:

  - 準諧振反激/正向拓撲結(jié)構(gòu)

  - PC Silverbox和消費者應用程序

  - 工業(yè)開關模式電源(SMPS)

規(guī)格參數(shù):

ParametricsIPW90R120C3
I(@25°C)   max36 A
I  max36 A
IDpuls   max96 A
MountingTHT
Operating Temperature   min  max-55 °C   150 °C
Ptot   max417 W
PackageTO-247
PolarityN
QG (typ @10V)260 nC
QG260 nC
RDS (on) (@10V)   max120 m?
RDS (on)   max120 m?
Rth0.3 K/W
RthJA   max62 K/W
RthJC   max0.3 K/W
Special Featuresprice/performance
VDS   max900 V
VGS(th)   min  max3 V   2.5 V   3.5 V

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。

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