Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管
發(fā)布時(shí)間:2025-05-08 09:04:36 瀏覽:201
Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),具有以下特點(diǎn):
絕對(duì)最大額定值(在Tc = +25°C時(shí),除非另有說明)
漏源電壓(Vds):100 Vdc
柵源電壓(Vgs):± 20 Vdc
連續(xù)漏極電流(Ic):3.5 Adc(在Tc = +25°C時(shí)),2.25 Adc(在Tc = +100°C時(shí))
最大功率耗散(Pd):15 W
漏源導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.61 Ω(在Vgs = 10Vdc時(shí))
工作和存儲(chǔ)溫度:-55°C至+150°C
電氣特性(在TA = +25°C時(shí),除非另有說明)
漏源擊穿電壓(V(BR)DSS):100 Vdc
柵源閾值電壓(V(th)(SS)):2.0 Vdc(最小),4.0 Vdc(最大)
柵極電流(Igss):± 100 nAdc(在Vds = ± 20V時(shí)),± 200 nAdc(在Vds = ± 80V時(shí))
漏極電流(Idss):25 μAdc(在Vgs = 0V時(shí),Vds = 80V時(shí))
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.60 Ω(在Vgs = 10V時(shí),I_D = 2.25A時(shí)),0.61 Ω(在Vgs = 10V時(shí),I_D = 3.5A時(shí))
二極管正向電壓(Vf(DSS)):1.08 V(在Vgs = 0V時(shí),I_D = 2.25A時(shí)),1.5 V(在Vgs = 0V時(shí),I_D = 3.5A時(shí))
動(dòng)態(tài)特性
柵極電荷(Qg):8.1 nC(最小),40 nC(最大)
輸入電容(Ciss):8.1 nF(最小),45 nF(最大)
輸出電容(Coss):8.1 nF(最小),45 nF(最大)
反向傳輸電容(Crss):4.5 nF
開關(guān)特性
開關(guān)時(shí)間測(cè)試:I_D = 3.5A,Vgs = 10Vdc
傳輸延遲時(shí)間(t_d):15 ns(最小),45 ns(最大)
上升時(shí)間(t_r):25 ns(最小),200 ns(最大)
關(guān)閉延遲時(shí)間(t_f):25 ns(最小),200 ns(最大)
下降時(shí)間(t_f):180 ns(最大)
這款MOSFET適用于需要高電壓和電流處理能力的電子設(shè)備,如電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器等應(yīng)用。Microsemi 是美國(guó)高可靠性電子元器件廠商,其軍級(jí)二三級(jí)管產(chǎn)品,被廣泛應(yīng)用于全球高端市場(chǎng),深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,授權(quán)代理銷售Microsemi軍級(jí)二三級(jí)產(chǎn)品,大量原裝現(xiàn)貨,歡迎咨詢。
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