天天干天天操,国产精品久久久久久久免费看,精品爆乳一区二区三区无码AV

Linear Systems 3N170/3N171單N溝道增強型MOSFET

發(fā)布時間：2024-08-21 09:18:47 瀏覽：840

Linear Systems 3N170/3N171單N溝道增強型MOSFET

　　Linear Systems 的 3N170 和 3N171 是單 N 溝道增強型 MOSFET，這些器件設計用于快速切換電路和需要低漏源電阻的應用。以下是這些 MOSFET 的詳細介紹：

　　特點：

　　直接替代性：3N170 和 3N171 可以直接替換 INTERSIL 的同型號產(chǎn)品，方便用戶在現(xiàn)有設計中進行升級或替換。

　　低漏源電阻：r_ds(on) ≤ 200Ω，這意味著在導通狀態(tài)下，器件的電阻較低，有助于減少功率損耗。

　　快速切換：t_d(on) ≤ 3.0ns，表明這些 MOSFET 能夠快速響應開關(guān)信號，適用于高速開關(guān)應用。

　　絕對最大額定值(在 25°C，除非另有說明)：

　　存儲溫度：-65 至 +150 °C，表明這些器件可以在廣泛的溫度范圍內(nèi)存儲。

　　工作結(jié)溫：-55 至 +135 °C，說明這些 MOSFET 可以在極端溫度下工作。

　　連續(xù)功率耗散：300mW，限制了器件在連續(xù)工作時的最大功率消耗。

　　最大電流(漏到源)：30mA，限制了通過器件的最大電流。

　　最大電壓：

　　- 漏到柵：±35V

　　- 漏到源：25V

　　- 柵到源：±35V

　　電氣特性(在 25°C，V_sb = 0V)：

SYMBOL	CHARACTERISTIC		MIN	TYP	MAX	UNITS	cONDITIONS
BVoss	Drain to Source Breakdown Voltage		25			V	o=10μA,Ves =0V
Vosion	Drain to Source "On"Voltage				2.0		p=10mA,VGs =10V
Vosah	Gate to Source Threshold Voltage	3N170	1.0		2.0		Vos =10V,lo=10μA
Vosah	Gate to Source Threshold Voltage	3N171	1.5		3.0		Vos =10V,lo=10μA
css	Gate Leakage Current				10	pA	VGs =-35V,Vos =0V
lpss	Drain Leakage Current "Off				10	nA	Vos =10V,VGs =0V
oion	Drain Current "On"		10			mA	Vcs=10V,Vos=10V
gs	Forward Transconductance		1000			μS	Vos =10V,Io=2.0mA,f=1.0kHz
ds(on	Drain to Source "On"Resistance				200	Q	VGs =10V,Io=100μA,f=1.0kHz
Crss	Reverse Transfer Capacitance				1.3	pF	Vos =0V,Vgs =0V,f=1.0MHz
Ces	Input Capacitance				5.0		Vos =10V,VGs =0V,f=1.0MHz
Cd	Drain to Body Capacitance				5.0		Voe =10V,f=1.0MHz

相關(guān)推薦：

JFET雙通道放大器Linear Systems

立維創(chuàng)展優(yōu)勢代理Linear Systems產(chǎn)品，價格優(yōu)惠，歡迎咨詢。

上一篇: H11-306-D01H-P15高溫200°C DIP插座ANDON

下一篇: COSEL BRFS系列DC-DC電源模塊介紹及替代產(chǎn)品

蜜臀AV夜夜澡人人爽人人_h肉视频在线观看_久久久一本精品99久久老熟女 _国产欧美日韩综合另类蜜桃_综合 亚洲 日韩 蜜桃_精品国产污污免费网站入口_国产精品真实交换视频